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HX1M022120K SIC MOSFET

Part NO.HX1M022120K
VDS = 1200 V
ID(Tc=25℃) = 91 A
RDS(on) =22 mΩ
產品詳情
中瑞宏芯(xin)碳化硅MOSFET產品覆蓋650V-1700V電(dian)壓等(deng)級(ji)并提供從20 m?-1?等(deng)多種規格，主(zhu)要(yao)封(feng)裝(zhuang)(zhuang)形式為TO247-3L、 TO247-4L及(ji)其他工(gong)業領域常見封(feng)裝(zhuang)(zhuang)。SiC MOSFET以其低(di)導通電(dian)阻和緊湊的(de)芯(xin)片尺(chi)寸(cun)確保了較(jiao)低(di)的(de)電(dian)容和柵(zha)極電(dian)荷。SiC的(de)特性消除了開(kai)關(guan)期間的(de)拖尾電(dian)流(liu)，使(shi)得(de)操作更迅速并減(jian)少(shao)了開(kai)關(guan)損耗(hao)。

SIC MOSFET選型表
Product VR(V) PKG ID(A) @100℃ Ron(mΩ) @25℃ Vth(V)
HX1M040065D 650 TO-247-3L 40 40 2.7
HX1M040065K 650 TO-247-4L 40 40 2.7
HX1M160120D 1200 TO-247-3L 10 160 2.7
HX1M160120K 1200 TO-247-4L 10 160 2.7
HX1M080120D 1200 TO-247-3L 28 80 2.9
HX1M080120K 1200 TO-247-4L 20 80 2.7
HX1M080120J 1200 TO-263-7L 20 80 2.7
HX1M040120D 1200 TO-247-3L 40 40 2.7
HX1M040120K 1200 TO-247-4L 40 40 2.7
HX1M040120J 1200 TO-263-7L 40 40 2.7
HX1M018120D 1200 TO-247-3L 75 18 2.7
HX1M018120K 1200 TO-247-4L 75 18 2.7
HX1M022120D 1200 TO-247-3L 57 22 2.8
HX1M022120K 1200 TO-247-4L 57 22 2.8
HX1M1000170D 1700 TO-247-3L 2 1000 2.7
HX1M1000170J 1700 TO-263-7L 2 1000 2.7

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