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HX1M040065K SIC MOSFET

Part NO.HX1M040065K
VDS = 650 V
ID(Tc=25℃) = 70A
RDS(on) =40 mΩ
產品詳情
中瑞宏芯碳化硅(gui)MOSFET產品覆蓋650V-1700V電(dian)壓(ya)等級(ji)并提供(gong)從20 m?-1?等多種(zhong)規格，主要封裝形式為TO247-3L、 TO247-4L及其(qi)他工(gong)業領域常見(jian)封裝。SiC MOSFET以(yi)其(qi)低導通(tong)電(dian)阻和緊湊的(de)芯片(pian)尺寸確保(bao)了較低的(de)電(dian)容和柵極電(dian)荷(he)。SiC的(de)特性(xing)消(xiao)除了開(kai)關(guan)期間的(de)拖尾電(dian)流(liu)，使得操作更迅(xun)速(su)并減少了開(kai)關(guan)損(sun)耗。 

SIC MOSFET選型表
Product VR(V) PKG ID(A) @100℃ Ron(mΩ) @25℃ Vth(V)
HX1M040065D 650 TO-247-3L 40 40 2.7
HX1M040065K 650 TO-247-4L 40 40 2.7
HX1M160120D 1200 TO-247-3L 10 160 2.7
HX1M160120K 1200 TO-247-4L 10 160 2.7
HX1M080120D 1200 TO-247-3L 28 80 2.9
HX1M080120K 1200 TO-247-4L 20 80 2.7
HX1M080120J 1200 TO-263-7L 20 80 2.7
HX1M040120D 1200 TO-247-3L 40 40 2.7
HX1M040120K 1200 TO-247-4L 40 40 2.7
HX1M040120J 1200 TO-263-7L 40 40 2.7
HX1M018120D 1200 TO-247-3L 75 18 2.7
HX1M018120K 1200 TO-247-4L 75 18 2.7
HX1M022120D 1200 TO-247-3L 57 22 2.8
HX1M022120K 1200 TO-247-4L 57 22 2.8
HX1M1000170D 1700 TO-247-3L 2 1000 2.7
HX1M1000170J 1700 TO-263-7L 2 1000 2.7

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